IPP037N08N3GXKSA1 vs IPW60R037P7XKSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPP037N08N3GXKSA1 द्वारा Infineon और IPW60R037P7XKSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPP037N08N3GXKSA1 | IPW60R037P7XKSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 | CoolMOS Superjunction (SJ) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 100 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 3.75 mΩ | — |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | 6 V, 10 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 214 W | — |
| पैकेज | PG-TO220-3 (Through Hole) | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| पिन काउंट | 3 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C (junction) | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] | — |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS™ P7 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET (Superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | — | 76 A |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | — | 37 mΩ |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | — | 255 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | — | 3.5 V |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +150 °C |
| Orderable Part Number Suffix | — | XKSA1 (tube packaging, industrial) |
| Avalanche Rated | — | Yes |