IPP037N08N3GXKSA1 vs IPW60R037P7XKSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP037N08N3GXKSA1 tarafından Infineon ve IPW60R037P7XKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPP037N08N3GXKSA1 | IPW60R037P7XKSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 | CoolMOS Superjunction (SJ) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 100 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 3.75 mΩ | — |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | 6 V, 10 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 214 W | — |
| Paket | PG-TO220-3 (Through Hole) | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) |
| Montaj Türü | Through Hole | Through Hole |
| Pin Sayısı | 3 | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C (junction) | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] | — |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS™ P7 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET (Superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | — | 76 A |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | — | 37 mΩ |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | — | 255 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | — | 3.5 V |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +150 °C |
| Orderable Part Number Suffix | — | XKSA1 (tube packaging, industrial) |
| Avalanche Rated | — | Yes |