IPP120N04S4-02 vs IRF3205STRLPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPP120N04S4-02 द्वारा Infineon और IRF3205STRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IPP120N04S4-02 IPP120N04S4-02 - 40V, 120A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon

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IPP120N04S4-02 ✓ सक्रिय
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IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF - 55V 110A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205STRLPBF - 55V 110A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205STRLPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPP120N04S4-02 IRF3205STRLPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS-T2 —
FET Type N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 degC) 120 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) 480 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V 1.9 mOhm (DigiKey listing); 1.8 mOhm (Infineon product page) —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) and V_GS range] —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 degC) 158 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 degC to +175 degC —
Package / Mounting Type PG-TO220-3-1 (TO-220-3, through-hole) —
AEC Qualification AEC qualified (automotive) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1, 260 degC peak reflow —
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
RoHS / Lead-Free RoHS compliant (Green Product), lead-free —
पिन काउंट 3 (Gate, Drain, Source) —
Single Pulse Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) [DATA_NEEDED: E_AS] —
Thermal Resistance Junction-to-Case (R<sub>thJC</sub>) [DATA_NEEDED: R_thJC degC/W] —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 110 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 390 A
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) — 8 mΩ max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 97.3 nC typical
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 200 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 °C to +175 °C (Tj)
पैकेज — TO-263-3 (D2PAK)
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix)
Technology — HEXFET (advanced process)
Packaging — Tape & Reel (STRL)

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