IPP120N04S4-02 vs IRF3205STRLPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IPP120N04S4-02 bằng Infineon và IRF3205STRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPP120N04S4-02 - 40V, 120A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPP120N04S4-02 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPP120N04S4-02 | IRF3205STRLPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS-T2 | — |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | — |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 degC) | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | 480 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V | 1.9 mOhm (DigiKey listing); 1.8 mOhm (Infineon product page) | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) and V_GS range] | — |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 degC) | 158 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 degC to +175 degC | — |
| Package / Mounting Type | PG-TO220-3-1 (TO-220-3, through-hole) | — |
| AEC Qualification | AEC qualified (automotive) | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1, 260 degC peak reflow | — |
| Avalanche Rating | 100% avalanche tested | — |
| RoHS / Lead-Free | RoHS compliant (Green Product), lead-free | — |
| Số chân | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Single Pulse Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) | [DATA_NEEDED: E_AS] | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (R<sub>thJC</sub>) | [DATA_NEEDED: R_thJC degC/W] | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 110 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 390 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) | — | 8 mΩ max @ Vgs=10V |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 97.3 nC typical |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 200 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Hộp | — | TO-263-3 (D2PAK) |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) |
| Technology | — | HEXFET (advanced process) |
| Packaging | — | Tape & Reel (STRL) |