IPT008N06NM5LFATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPT008N06NM5LFATMA1 द्वारा Infineon और IPT017N12NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IPT008N06NM5LFATMA1 - 60V 454A 0.8mΩ N-Ch MOSFET HSOF-8 | Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPT008N06NM5LFATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 / Linear FET | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 454 A | — |
| पल्स्ड ड्रेन करंट | [DATA_NEEDED: pulsed ID] | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | 0.8 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | 3.6 V (typ, 250 µA test) | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| पैकेज | PG-HSOF-8 (single, flat-lead) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 6 |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | not_qualified (industrial-grade by default) | — |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55C to +175C |
| पिन काउंट | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |