IPT030N12N3GATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPT030N12N3GATMA1 द्वारा Infineon और IPB60R040CFD7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPT030N12N3GATMA1 - 120V 237A 3mΩ N-Channel OptiMOS 3 | Infineon
IPT030N12N3GATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPT030N12N3GATMA1 | IPB60R040CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $5.19 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | 20 V | — |
| Maximum Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | 3 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 24 A (Ta) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 237 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3.8 W (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 375 W (Tc) | — |
| Technology | OptiMOS 3 | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज | PG-HSOF-8-1 (TOLL) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (per manufacturer datasheet) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant with Exemption | Compliant |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS CFD7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 40 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| पावर डिसिपेशन (TC=25°C) | — | 227 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +150°C |
| Integrated Body Diode | — | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode |
| Lead-Free | — | Yes |
| Target Applications | — | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) |