IPT030N12N3GATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT030N12N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPB60R040CFD7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPT030N12N3GATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $5,19
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Maximum Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 24 A (Ta) —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 237 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W (Ta) —
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W (Tc) —
Technology OptiMOS 3 Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (per manufacturer datasheet) —
RoHS Durumu Compliant with Exemption Compliant
Channel Mode Enhancement —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS CFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Güç Tüketimi (TC=25°C) — 227 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin