IPT65R040CFD7XTMA1 vs IPW60R037P7XKSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPT65R040CFD7XTMA1 द्वारा Infineon और IPW60R037P7XKSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPT65R040CFD7XTMA1 IPT65R040CFD7XTMA1 - 650V 34mOhm CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPT65R040CFD7XTMA1 - 650V 34mOhm CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPT65R040CFD7XTMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPT65R040CFD7XTMA1 IPW60R037P7XKSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction N-channel MOSFET CoolMOS Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 650 V —
Maximum On-State Resistance RDS(on) max 40 mOhm at VGS=10 V —
Typical On-State Resistance RDS(on) typ 34 mOhm —
Continuous Drain Current ID (TC=25C) 63 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.5 V typical [DATA_NEEDED: full min/max] —
Gate-Source Voltage VGS max [DATA_NEEDED: +/-20 V typical for CFD7] —
पैकेज PG-HSOF-8-2 (8-HSOF, surface mount, top-side exposed tab) PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Through Hole
Topology Suitability LLC, Phase-Shift Full-Bridge, ZVS totem-pole PFC —
Body Diode Integrated fast body diode (low Qrr, hard-commutation rugged) —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C [DATA_NEEDED: confirm junction range] —
RoHS Compliance Compliant —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: per JEDEC J-STD-020, not in provided snippets] —
Automotive Qualification Industrial grade (AEC-Q101 variants exist separately) —
Series — CoolMOS™ P7
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET (Superjunction)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) — 76 A
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) — 37 mΩ
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) — 255 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 3.5 V
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 °C to +150 °C
Orderable Part Number Suffix — XKSA1 (tube packaging, industrial)
RoHS स्थिति — Compliant
Avalanche Rated — Yes

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