IQD005N04NM6CGATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQD005N04NM6CGATMA1 द्वारा Infineon और ISC046N13NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQD005N04NM6CGATMA1 | ISC046N13NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 6 (trench FET) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| RDS(on) Typical | 0.5 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 58 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 610 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating] | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 333 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C (TJ) | -55 C to +175 C |
| पैकेज | PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 9 | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Source Configuration | Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 6 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 135 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 142 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 211 W |
| पैकेज / केस | — | PG-TDSON-8 |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (typical) |
| Packaging | — | Tape & Reel |