IQD005N04NM6CGATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQD005N04NM6CGATMA1 tarafından Infineon ve ISC046N13NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IQD005N04NM6CGATMA1 | ISC046N13NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 6 (trench FET) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| RDS(on) Typical | 0.5 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 58 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 610 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating] | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 333 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C (TJ) | -55 C to +175 C |
| Paket | PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 9 | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Source Configuration | Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 6 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 135 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 142 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 211 W |
| Paket / Kas | — | PG-TDSON-8 |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (typical) |
| Packaging | — | Tape & Reel |