IQD005N04NM6CGATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQD005N04NM6CGATMA1 bằng Infineon và ISC046N13NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQD005N04NM6CGATMA1 - 40V 0.5mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IQD005N04NM6CGATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQD005N04NM6CGATMA1 | ISC046N13NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 6 (trench FET) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| RDS(on) Typical | 0.5 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 58 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 610 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating] | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 333 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +150 °C (TJ) | -55 C to +175 C |
| Hộp | PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số chân | 9 | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Source Configuration | Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 6 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 135 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 142 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 211 W |
| Hộp / Vỏ | — | PG-TDSON-8 |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (typical) |
| Packaging | — | Tape & Reel |