IQD009N06NM5SCATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQD009N06NM5SCATMA1 द्वारा Infineon और IPD50N06S409ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQD009N06NM5SCATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Series | OptiMOS 5 60V (IQD009N06NM5) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 445 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 0.9 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS abs max, typical +/-20V] | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| पैकेज | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 mm) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL classification] | — |
| Tape and Reel Packaging | Yes (suffix SCATMA1) | — |
| Technology | — | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +175 °C |
| पिन काउंट | — | 3 (2 + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |