IQD009N06NM5SCATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQD009N06NM5SCATMA1 tarafından Infineon ve IPD50N06S409ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQD009N06NM5SCATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQD009N06NM5SCATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Series OptiMOS 5 60V (IQD009N06NM5) —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 445 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS abs max, typical +/-20V] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Paket PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 mm) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL classification] —
Tape and Reel Packaging Yes (suffix SCATMA1) —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Pin Sayısı — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin