IQD020N10NM5CGATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQD020N10NM5CGATMA1 द्वारा Infineon और BSC019N04LSTATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQD020N10NM5CGATMA1 - 100V 2.0mΩ OptiMOS™ 5 N-MOSFET | Infineon
IQD020N10NM5CGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQD020N10NM5CGATMA1 | BSC019N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 26 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | 273 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 2.0 mΩ (at VGS=10V) | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 333 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C | -55 C to +150 C |
| पैकेज | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] | 1 (unlimited) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Qualification | Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 161 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 85 nC |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | — | 94 W |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |