IQD020N10NM5CGATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQD020N10NM5CGATMA1 tarafından Infineon ve BSC019N04LSTATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQD020N10NM5CGATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 26 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C 273 A —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 2.0 mΩ (at VGS=10V) —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 333 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C -55 C to +150 C
Paket PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] 1 (unlimited)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Qualification Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin