IQE008N03LM5ATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE008N03LM5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC020N03LSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IQE008N03LM5ATMA1 IQE008N03LM5ATMA1 - 30V 0.85mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5ATMA1 - 30V 0.85mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon

BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon

BSC020N03LSGATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IQE008N03LM5ATMA1 BSC020N03LSGATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 253 A —
On-Resistance RDS(on) Typical 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (at 250 µA per LCSC snippet) 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet)
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 89 W —
पैकेज PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating) -55 C to +150 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V (typical MOSFET rating) —
Technology OptiMOS 5, Source-Down —
RoHS स्थिति Compliant (per LCSC listing) Compliant
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet)
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — approximately 2.0 mOhm
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 96 W
पैकेज / केस — PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm)
Packaging — Tape & Reel

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