IQE008N03LM5ATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IQE008N03LM5ATMA1 توسط Infineon و BSC020N03LSGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IQE008N03LM5ATMA1 BSC020N03LSGATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 253 A —
On-Resistance RDS(on) Typical 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (at 250 µA per LCSC snippet) 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet)
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 89 W —
بسته‌بندی PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating) -55 C to +150 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V (typical MOSFET rating) —
Technology OptiMOS 5, Source-Down —
وضعیت RoHS Compliant (per LCSC listing) Compliant
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet)
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — approximately 2.0 mOhm
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 96 W
بسته‌بندی / کیس — PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm)
Packaging — Tape & Reel

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت