IQE013N04LM6SCATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE013N04LM6SCATMA1 द्वारा Infineon और ISC015N06NM5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQE013N04LM6SCATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS Source-Down MOSFET | Infineon
IQE013N04LM6SCATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE013N04LM6SCATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | ±20 V | — |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V | 1.35 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>A</sub>=25 °C | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25 °C | [DATA_NEEDED: I_D at T_C] (per distributor listing 205 A pulsed) | — |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) at T<sub>C</sub>=25 °C | 205 A | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>A</sub>=25 °C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25 °C | 107 W | — |
| Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) @ V<sub>GS</sub>=10 V | 41 nC | — |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) @ V<sub>DS</sub>=20 V | 3800 pF | — |
| पैकेज | PG-WHSON-8-1 (3.3 mm × 3.3 mm Source-Down PQFN) with exposed pad | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: T_J min/max] | -55 C to +175 C |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Part Family | OptiMOS Source-Down, 40 V, 3.3×3.3 PQFN | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |