IQE050N08NM5CGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE050N08NM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon और IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 - 80V 99A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE050N08NM5CGSCATMA1 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | Silicon N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 99 A | 422 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16 A | 54 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.0 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.8 V | — |
| Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Total Power Dissipation at TC (PD) | 100 W | — |
| Total Power Dissipation at TA (PD) | 2.5 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction, typical) | — |
| पैकेज | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Lead-free, RoHS compliant | — |
| MSL स्तर | 1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 25 V |
| RDS(on) Max | — | 0.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 2 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Series | — | OptiMOS 7 |