IQE050N08NM5CGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE050N08NM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench) Silicon N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 99 A 422 A
Continuous Drain Current (ID) at TA 16 A 54 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.0 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Power Dissipation at TC (PD) 100 W —
Total Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction, typical) —
Paket PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-WHTFN-9-1 (surface mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant —
MSL Seviyesi 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 25 V
RDS(on) Max — 0.5 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 2 V
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 150 W
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Series — OptiMOS 7

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin