IR2011SPBF vs IR2011STRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IR2011SPBF द्वारा Infineon और IR2011STRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IR2011SPBF IR2011SPBF - 200V High/Low-Side Gate Driver, 1A, 8-SOIC | Infineon

IR2011SPBF - 200V High/Low-Side Gate Driver, 1A, 8-SOIC | Infineon

IR2011SPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IR2011STRPBF IR2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver | Infineon | SOIC-8

IR2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver | Infineon | SOIC-8

IR2011STRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IR2011SPBF IR2011STRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side and Low-Side, Inverting High-Side and Low-Side (Independent)
आउटपुट की संख्या 2 —
Offset Voltage (High-Side, max) 200 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 1 A / 1 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 80 ns —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Input Logic Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.0 V —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (on VS pin) dV/dt immune
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40 C to +125 C —
पैकेज 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (3.90 mm body width)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) Lead-Free, RoHS Compliant
Tube / Reel Packaging Tube (per Infineon PBF convention) —
Number of Drivers — 2 (Half-Bridge)
Peak Source Current — 1 A (typical)
Peak Sink Current — 1 A (typical)
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (operational to +200 V)
Logic Input Compatibility — 3.0 V CMOS or LSTTL
Propagation Delay (typ.) — 80 ns
Turn-On Rise Time (typ.) — 35 ns
Turn-Off Fall Time (typ.) — 20 ns
Offset Voltage Rating — 200 V
ऑपरेटिंग तापमान — -40 C to +125 C

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध