IR2101PBF vs IR2101STRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IR2101PBF द्वारा Infineon और IR2101STRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IR2101PBF IR2101PBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2101PBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2101PBF ✓ सक्रिय
Infineon
IR2101STRPBF IR2101STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2101STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2101STRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IR2101PBF IR2101STRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Configuration Half-Bridge (High and Low Side) Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Input Type Non-Inverting —
Number of Drivers 2 (High-Side + Low-Side) 2
आउटपुट की संख्या 2 —
Supply Voltage (VCC/VBS) 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Peak Source Current 0.21 A (210 mA) —
Peak Sink Current 0.36 A —
Offset (High-Side) Voltage Up to +600 V —
Propagation Delay 160 ns —
Undervoltage Lockout Yes —
dV/dt Immunity Yes (negative transient tolerant) —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40 C to +125 C
पैकेज 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
माउंटिंग प्रकार Through-Hole Surface Mount
Packaging Tube —
RoHS स्थिति Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
MSL स्तर — MSL 3

डेटाशीट और संसाधन

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