IR2101PBF vs IR2101STRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IR2101PBF توسط Infineon و IR2101STRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IR2101PBF IR2101STRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Configuration Half-Bridge (High and Low Side) Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Input Type Non-Inverting —
Number of Drivers 2 (High-Side + Low-Side) 2
تعداد خروجی‌ها 2 —
Supply Voltage (VCC/VBS) 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Peak Source Current 0.21 A (210 mA) —
Peak Sink Current 0.36 A —
Offset (High-Side) Voltage Up to +600 V —
Propagation Delay 160 ns —
Undervoltage Lockout Yes —
dV/dt Immunity Yes (negative transient tolerant) —
دمای کاری -40C to +125C -40 C to +125 C
بسته‌بندی 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
نوع نصب Through-Hole Surface Mount
Packaging Tube —
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
سطح MSL — MSL 3

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت