IR2101PBF vs IR2101STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2101PBF מאת Infineon ו IR2101STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2101PBF IR2101STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Half-Bridge (High and Low Side) Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Input Type Non-Inverting —
Number of Drivers 2 (High-Side + Low-Side) 2
מספר יציאות 2 —
Supply Voltage (VCC/VBS) 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Peak Source Current 0.21 A (210 mA) —
Peak Sink Current 0.36 A —
Offset (High-Side) Voltage Up to +600 V —
Propagation Delay 160 ns —
Undervoltage Lockout Yes —
dV/dt Immunity Yes (negative transient tolerant) —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40 C to +125 C
מארז 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
סוג הרכבה Through-Hole Surface Mount
Packaging Tube —
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
רמת MSL — MSL 3

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר