IR2109SPBF vs IR2109STRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IR2109SPBF द्वारा Infineon और IR2109STRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IR2109SPBF IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF ✓ सक्रिय
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IR2109STRPBF IR2109STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109STRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IR2109SPBF IR2109STRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
राइज़ टाइम 200 ns —
फॉल टाइम 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -40 C to +150 C —
पैकेज SOIC-8 8-SOIC (3.90 mm Width)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
आउटपुट की संख्या — 2 (High-Side / Low-Side)
High-Side Offset Voltage (Max) — 600 V
Peak Source Output Current — 0.2 A (typ)
Peak Sink Output Current — 0.35 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 750 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
ton / toff (typ) — 540 ns
Input Logic — Non-Inverting
UVLO — Yes (VCC and VBS)
Dead Time Control — Built-in
dV/dt Immunity — Yes
Negative VS Transient Tolerance — Yes
ऑपरेटिंग तापमान — -40 C to +125 C

डेटाशीट और संसाधन

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