IR2109SPBF vs IR2109STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2109SPBF מאת Infineon ו IR2109STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2109SPBF IR2109STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
זמן עלייה 200 ns —
זמן ירידה 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
טמפרטורת צומת פעולה -40 C to +150 C —
מארז SOIC-8 8-SOIC (3.90 mm Width)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
מספר יציאות — 2 (High-Side / Low-Side)
High-Side Offset Voltage (Max) — 600 V
Peak Source Output Current — 0.2 A (typ)
Peak Sink Output Current — 0.35 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 750 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
ton / toff (typ) — 540 ns
Input Logic — Non-Inverting
UVLO — Yes (VCC and VBS)
Dead Time Control — Built-in
dV/dt Immunity — Yes
Negative VS Transient Tolerance — Yes
טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר