IR2109SPBF vs IR2109STRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IR2109SPBF tarafından Infineon ve IR2109STRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IR2109SPBF IR2109STRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Artış Süresi 200 ns —
Düşüş Süresi 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
İşletim Jant Sıcaklığı -40 C to +150 C —
Paket SOIC-8 8-SOIC (3.90 mm Width)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Çıkış Sayısı — 2 (High-Side / Low-Side)
High-Side Offset Voltage (Max) — 600 V
Peak Source Output Current — 0.2 A (typ)
Peak Sink Output Current — 0.35 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 750 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
ton / toff (typ) — 540 ns
Input Logic — Non-Inverting
UVLO — Yes (VCC and VBS)
Dead Time Control — Built-in
dV/dt Immunity — Yes
Negative VS Transient Tolerance — Yes
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +125 C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin