IRF5305STRRPBF vs IRF4905STRRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF5305STRRPBF द्वारा Infineon और IRF4905STRRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF5305STRRPBF IRF5305STRRPBF - P-CH 55V 31A HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRF5305STRRPBF - P-CH 55V 31A HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRF5305STRRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF5305STRRPBF IRF4905STRRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार P-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (Advanced Process)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max @ VGS=-10V 60 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] -2.0 V to -4.0 V
Power Dissipation (TC) 110 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +175C -55 C to +175 C
पैकेज D2PAK (TO-263) Surface Mount D2PAK (TO-263-3)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -74 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 170 W
RoHS स्थिति — Compliant
Lead-Free — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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