IRF5305STRRPBF vs IRF4905STRRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF5305STRRPBF tarafından Infineon ve IRF4905STRRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF5305STRRPBF IRF4905STRRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü P-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (Advanced Process)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max @ VGS=-10V 60 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] -2.0 V to -4.0 V
Power Dissipation (TC) 110 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C -55 C to +175 C
Paket D2PAK (TO-263) Surface Mount D2PAK (TO-263-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -74 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 170 W
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin