IRF5305STRRPBF vs IRF4905STRRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF5305STRRPBF bằng Infineon và IRF4905STRRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF5305STRRPBF IRF5305STRRPBF - P-CH 55V 31A HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRF5305STRRPBF - P-CH 55V 31A HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRF5305STRRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF5305STRRPBF IRF4905STRRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor P-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (Advanced Process)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max @ VGS=-10V 60 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] -2.0 V to -4.0 V
Power Dissipation (TC) 110 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C -55 C to +175 C
Hộp D2PAK (TO-263) Surface Mount D2PAK (TO-263-3)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -74 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 170 W
Trạng thái RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá