IRF5305STRRPBF vs IRF4905STRRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF5305STRRPBF بذریعہ Infineon اور IRF4905STRRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF5305STRRPBF IRF4905STRRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم P-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (Advanced Process)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max @ VGS=-10V 60 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] -2.0 V to -4.0 V
Power Dissipation (TC) 110 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C -55 C to +175 C
پیکیج D2PAK (TO-263) Surface Mount D2PAK (TO-263-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -74 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 170 W
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں