IRF7319TRPBF vs IRFR9120NTRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7319TRPBF द्वारा Infineon और IRFR9120NTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF - 30V Dual N/P-Channel MOSFET, 6.5A | Infineon

IRF7319TRPBF - 30V Dual N/P-Channel MOSFET, 6.5A | Infineon

IRF7319TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF - 100V P-Channel HEXFET MOSFET, 6.6A | Infineon

IRFR9120NTRPBF - 100V P-Channel HEXFET MOSFET, 6.6A | Infineon

IRFR9120NTRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF7319TRPBF IRFR9120NTRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Type Dual MOSFET Array (N-channel + P-channel) —
Technology IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET HEXFET fifth-generation IR MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current N-channel (ID) 6.5 A —
Continuous Drain Current P-channel (ID) 4.9 A —
RDS(on) Max N-channel 29 mOhm (per Infineon product page) —
RDS(on) Max P-channel [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) max] —
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient N-ch 120 C/W (steady state) —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient P-ch 110 C/W (steady state) —
Package Type 8-SOIC (SO-8) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (junction) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = Pb-free) —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Configuration N-Channel + P-Channel (complementary half-bridge) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -6.6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V — 480 milliohm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Total Gate Charge (Qg) — 18 nC (typical)
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C — 40 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज — -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC]
पैकेज — TO-252AA (DPAK), surface mount
MSL स्तर — 1 (unlimited floor life)
Lead Finish / Plating — Pb-free (PBF suffix), Matte Tin
RoHS स्थिति — Compliant
Moisture Sensitivity — MSL1 per JEDEC J-STD-020

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध