IRF7341GTRPBF vs ISA150233C03LMDSXTMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7341GTRPBF द्वारा Infineon और ISA150233C03LMDSXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon
ISA150233C03LMDSXTMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF7341GTRPBF | ISA150233C03LMDSXTMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 5.1 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 50 mOhm at VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) | 2.4 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| Configuration | Dual N-Channel | Dual N-channel + P-channel (1 N + 1 P) |
| Technology | IR HEXFET Planar MOSFET | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| पैकेज | 8-SO (SOIC-8) | PG-DSO-8-920 (SO-8 with thermal pad) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typical] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | -55 C to +150 C (junction) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| N-channel Continuous Drain Current (Ta) | — | 7.6 A |
| N-channel Continuous Drain Current (Tc) | — | 10.2 A |
| P-channel Continuous Drain Current (Ta) | — | 6.6 A |
| P-channel Continuous Drain Current (Tc) | — | 8.8 A |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 1.4 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 2.5 W |
| Marking Code | — | 1523C03L |
| Channel Type | — | N-channel + P-channel enhancement mode |