IRFB52N15DPBF vs IRFB7534PBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFB52N15DPBF द्वारा Infineon और IRFB7534PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFB52N15DPBF | IRFB7534PBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 51 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 204 A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 32 mOhm at VGS=10V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 60 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 230 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| Package Type | TO-220AB (through-hole) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Technology | HEXFET (vertical DMOS, hexagonal cell) | StrongIRFET™ (planar N-channel) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (PbF suffix) |
| Lead-Free Finish | Yes (Pb-free PBF suffix) | — |
| Qualification Standard | Industrial market (per IR/Infineon) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRFB7534PBF |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 195 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 294 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.4 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.7 V (typ) |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| पैकेज | — | TO-220AB |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| MSL स्तर | — | MSL1 (unlimited floor life) |