IRFH5015TRPBF vs BSC0901NSIATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFH5015TRPBF द्वारा Infineon और BSC0901NSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFH5015TRPBF | BSC0901NSIATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 31 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 33 nC | [DATA_NEEDED: total gate charge nC] |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 156 W | — |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | 10 V | — |
| पैकेज | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 | PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C (TJ max) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 2.0 mOhm typical |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.2 V max |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +150 C |
| पिन काउंट | — | 8 |
| MSL स्तर | — | 1 |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |