IRFH5015TRPBF vs BSC0901NSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFH5015TRPBF بذریعہ Infineon اور BSC0901NSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFH5015TRPBF | BSC0901NSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 31 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 33 nC | [DATA_NEEDED: total gate charge nC] |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 156 W | — |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | 10 V | — |
| پیکیج | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 | PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55C to +150C (TJ max) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 2.0 mOhm typical |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.2 V max |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +150 C |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| MSL لیول | — | 1 |
| ہیلوجن فری | — | Yes |