IRFH7084TRPBF vs IRFR4615TRLPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFH7084TRPBF द्वारा Infineon और IRFR4615TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFH7084TRPBF IRFR4615TRLPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +175°C (TJ) -55C to +175C
पैकेज 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) TO-252AA (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 —
RoHS स्थिति Compliant —
हैलोजन फ्री Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 144 W
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
सिंगल पल्स एवलांच एनर्जी — 109 mJ

डेटाशीट और संसाधन

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