IRFH7084TRPBF vs IRFR4615TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFH7084TRPBF tarafından Infineon ve IRFR4615TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFH7084TRPBF IRFR4615TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) -55C to +175C
Paket 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) TO-252AA (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant —
Klorürsüz Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 144 W
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Tek Darbe Yıldırım Enerjisi — 109 mJ

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin