IRFH8318TRPBF vs IRFH7084TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFH8318TRPBF द्वारा Infineon और IRFH7084TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFH8318TRPBF IRFH7084TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH8318TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 120 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 41 nC —
Power Dissipation (Ta) 3.6 W —
Power Dissipation (Tc) 59 W —
पैकेज PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान -55°C to +150°C —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL स्तर 1 1
Description Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55°C to +175°C (TJ)
हैलोजन फ्री — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध