IRFH8318TRPBF vs IRFH7084TRPBF Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil IRFH8318TRPBF dari Infineon dan IRFH7084TRPBF dari Infineon. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum IRFH8318TRPBF IRFH7084TRPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH8318TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 120 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 41 nC —
Power Dissipation (Ta) 3.6 W —
Power Dissipation (Tc) 59 W —
Paket PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
Tipe Mounting Surface Mount Surface Mount
Suhu Kerja -55°C to +150°C —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Level MSL 1 1
Description Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
Rentang Suhu Kerja — -55°C to +175°C (TJ)
Bebas Halogen — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon