IRFR2405TRLPBF vs IPD042P03L3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR2405TRLPBF द्वारा Infineon और IPD042P03L3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR2405TRLPBF | IPD042P03L3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) | OptiMOS™ P (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 56 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 200 A (typical, per datasheet family) | -280 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 16 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg) typical | 70 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 110 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C (junction) | -55°C to +175°C (TJ) |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes (HEXFET ruggedized design) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | -70 A |
| RDS(on) max @ VGS = -10 V | — | 4.2 mΩ |
| RDS(on) max @ VGS = -4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) | — | 150 W |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 290 mJ |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| MSL स्तर | — | 1 |