IRFR2405TRLPBF vs IPD042P03L3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR2405TRLPBF tarafından Infineon ve IPD042P03L3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFR2405TRLPBF | IPD042P03L3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) | OptiMOS™ P (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 56 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 200 A (typical, per datasheet family) | -280 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 16 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg) typical | 70 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 110 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C (junction) | -55°C to +175°C (TJ) |
| Paket | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes (HEXFET ruggedized design) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | -70 A |
| RDS(on) max @ VGS = -10 V | — | 4.2 mΩ |
| RDS(on) max @ VGS = -4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) | — | 150 W |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 290 mJ |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| MSL Seviyesi | — | 1 |