IRFR3607TRPBF vs IRLR2905TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR3607TRPBF द्वारा Infineon और IRLR2905TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR3607TRPBF | IRLR2905TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 75 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 56 A | — |
| Calculated Die Drain Current | 80 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | 56 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 140 W | — |
| Thermal Resistance (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (planar DMOS) | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) |
| Avalanche SOA | Fully characterized | — |
| RoHS / Lead-Free | Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 27 mOhm |
| Gate Charge (Qg) | — | 32 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |