IRFR5505TRLPBF vs IRFR5505TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR5505TRLPBF द्वारा Infineon और IRFR5505TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR5505TRLPBF IRFR5505TRLPBF - P-Ch 55V 18A 110mOhm DPAK MOSFET | Infineon

IRFR5505TRLPBF - P-Ch 55V 18A 110mOhm DPAK MOSFET | Infineon

IRFR5505TRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR5505TRLPBF IRFR5505TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity P-Channel P-Channel
MOSFET Operating Mode Enhancement —
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
VGS (Gate-Source Voltage) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) -18 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] -72 A
On-Resistance RDS(on) max 110 mOhm (VGS = -10 V) —
Total Gate Charge (Qg) 21.3 nC 21.3 nC
Power Dissipation (PD) 57 W (Tc = 25 °C) —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 °C to +175 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC] —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) IR MOSFET (HEXFET 5th generation)
पैकेज TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
MSL स्तर 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -18 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 110 mOhm
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 57 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 2.2 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper)
RoHS स्थिति — Compliant (PBF suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

डेटाशीट और संसाधन

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