IRFR5505TRLPBF vs IRFR5505TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR5505TRLPBF מאת Infineon ו IRFR5505TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR5505TRLPBF IRFR5505TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity P-Channel P-Channel
MOSFET Operating Mode Enhancement —
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
VGS (Gate-Source Voltage) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) -18 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] -72 A
On-Resistance RDS(on) max 110 mOhm (VGS = -10 V) —
Total Gate Charge (Qg) 21.3 nC 21.3 nC
Power Dissipation (PD) 57 W (Tc = 25 °C) —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC] —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) IR MOSFET (HEXFET 5th generation)
מארז TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
רמת MSL 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -18 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 110 mOhm
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 57 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 2.2 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper)
סטטוס RoHS — Compliant (PBF suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר