IRFS4010TRLPBF vs IRLZ34NSTRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFS4010TRLPBF द्वारा Infineon और IRLZ34NSTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFS4010TRLPBF | IRLZ34NSTRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 180 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 110 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 4.7 mOhm | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | Plus or minus 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | Logic-level (5 V drive compatible) |
| Total Gate Charge (Qg) | 143 nC | 16.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 375 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | — |
| पैकेज | D2PAK (TO-263AB), surface mount | D2PAK (TO-263), surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage | 10 V (normal level, optimized) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| MSL स्तर | 1 | — |
| Qualification | JEDEC standard | JEDEC standard |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 30 A |
| RDS(on) at VGS=5V | — | 35 mOhm (typical) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 68 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Switching Frequency Optimization | — | Below 100 kHz |
| Cell Structure | — | HEXFET planar (5th generation) |