IRFS4010TRLPBF vs IRLZ34NSTRLPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFS4010TRLPBF מאת Infineon ו IRLZ34NSTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFS4010TRLPBF | IRLZ34NSTRLPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 180 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 110 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 4.7 mOhm | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | Plus or minus 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | Logic-level (5 V drive compatible) |
| Total Gate Charge (Qg) | 143 nC | 16.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 375 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +175C | — |
| מארז | D2PAK (TO-263AB), surface mount | D2PAK (TO-263), surface mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage | 10 V (normal level, optimized) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| רמת MSL | 1 | — |
| Qualification | JEDEC standard | JEDEC standard |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 30 A |
| RDS(on) at VGS=5V | — | 35 mOhm (typical) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 68 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Switching Frequency Optimization | — | Below 100 kHz |
| Cell Structure | — | HEXFET planar (5th generation) |