IRFS4010TRLPBF vs IRLZ34NSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFS4010TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRLZ34NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF - 100V 180A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IRFS4010TRLPBF - 100V 180A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IRFS4010TRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFS4010TRLPBF IRLZ34NSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 180 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 110 A
RDS(on) max @ VGS=10V 4.7 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max Plus or minus 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] Logic-level (5 V drive compatible)
Total Gate Charge (Qg) 143 nC 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 375 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج D2PAK (TO-263AB), surface mount D2PAK (TO-263), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage 10 V (normal level, optimized) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Pb-free)
MSL لیول 1 —
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
Continuous Drain Current (ID) at TC — 30 A
RDS(on) at VGS=5V — 35 mOhm (typical)
Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Power Dissipation (Tc) — 68 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single with built-in diode
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Cell Structure — HEXFET planar (5th generation)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں