IRFS4321TRLPBF vs IRL540NSTRLPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFS4321TRLPBF द्वारा Infineon और IRL540NSTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF - 150V 85A N-Ch HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFS4321TRLPBF - 150V 85A N-Ch HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFS4321TRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF - 100V 36A N-Channel MOSFET | Infineon | D2PAK

IRL540NSTRLPBF - 100V 36A N-Channel MOSFET | Infineon | D2PAK

IRL540NSTRLPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFS4321TRLPBF IRL540NSTRLPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max at VGS=10V 15 mOhm —
RDS(on) Max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) Typ 71 nC —
Total Gate Charge (Qg) Max 110 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 350 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) Max 0.45 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) End-of-Life 0.65 C/W (after 1000 cycles -55C to +150C) —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +175C —
पैकेज TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D2PAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (IR MOSFET) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant (LPBF suffix indicates lead-free)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 36 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 44 mΩ
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level
Total Gate Charge (Qg) — 49.3 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 140 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55°C to +175°C
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL rating]

डेटाशीट और संसाधन

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