IRFS4321TRLPBF vs IRL540NSTRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFS4321TRLPBF bằng Infineon và IRL540NSTRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF - 150V 85A N-Ch HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFS4321TRLPBF - 150V 85A N-Ch HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFS4321TRLPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF - 100V 36A N-Channel MOSFET | Infineon | D2PAK

IRL540NSTRLPBF - 100V 36A N-Channel MOSFET | Infineon | D2PAK

IRL540NSTRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFS4321TRLPBF IRL540NSTRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max at VGS=10V 15 mOhm —
RDS(on) Max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) Typ 71 nC —
Total Gate Charge (Qg) Max 110 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 350 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) Max 0.45 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) End-of-Life 0.65 C/W (after 1000 cycles -55C to +150C) —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C —
Hộp TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D2PAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (IR MOSFET) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (LPBF suffix indicates lead-free)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 36 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 44 mΩ
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level
Total Gate Charge (Qg) — 49.3 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 140 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55°C to +175°C
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá